屏电极结构对微通道板成像器间隙放电的影响

• 作者: 丁永坤 刘慎业 张海鹰 曹柱荣 杨正华 白晓红
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 真空放电 微通道板成像器 铝屏 氧化铟锡屏
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1251-1254
• 分类号: TB43|O539
• 字数: 3721字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102206.1251

摘要

利用铝屏和氧化铟锡(ITO)屏两种结构的微通道板(MCP)成像器进行了放电实验,通过直流首击穿后器件的绝缘强度和电极熔蚀形貌变化,分析了屏电极结构对放电的影响.实验表明,铝屏MCP成像器首击穿后,铝膜电极出现如火山口状的熔蚀形貌,在10 μs脉冲屏压下绝缘强度降低到3 kV/mm以下,绝缘强度与MCP无关.而ITO屏MCP成像器首击穿后,荧光质向MCP的质量迁移具有抑制阴极发射的作用,所以放电具有稳定的场发射特性,在10 μs脉冲屏压下绝缘强度可达到9 kV/mm.分析表明,MCP成像器间隙放电的发展主要依赖于屏电极结构,ITO屏的电极结构有利于MCP成像器绝缘性能的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘慎业	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	113	323	9.0	11.0
2	丁永坤	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	49	181	7.0	10.0
3	曹柱荣	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	28	81	5.0	6.0
4	杨正华	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	12	15	2.0	3.0
5	白晓红	中国科学院西安光学精密机械研究所	5	39	3.0	5.0
6	张海鹰	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	7	34	4.0	5.0