压力对CoSb2.750TexGe0.250-xn型方钴矿化合物的电输运性能的影响

• 作者: 姜一平 贾晓鹏 邓乐 郑世钊 马红安
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 方钴矿 高温高压 热电材料
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 1658-1659,1663
• 分类号: O521.2
• 字数: 1984字
• 语种: 中文

摘要

采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律.室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析.电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低.功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高.CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm·K2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马红安	吉林大学超硬材料国家重点实验室	122	381	8.0	12.0
2	贾晓鹏	吉林大学超硬材料国家重点实验室	121	431	9.0	13.0
3	姜一平	吉林大学超硬材料国家重点实验室	7	28	3.0	5.0
7	邓乐	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	123	7.0	11.0
8	郑世钊	吉林大学超硬材料国家重点实验室	3	1	1.0	1.0