SETMOS在蔡氏电路中的特性研究

• 作者: 冯朝文 张立森 杨晓阔 蔡理 赵晓辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单电子晶体管 负微分电阻 拟合 多涡卷
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8420-8425
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用拟合法简化了单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件SETMOS的负微分电阻特性方程,提出了由SETMOS设计多涡卷混沌电路的方法.理论上定性和定量地分析了负微分电阻特性对于多涡卷蔡氏电路平衡点的影响.经研究发现,多涡卷蔡氏电路混沌在非线性函数的各负斜率区中形成径向收缩、轴向拉伸的单向运动,而在各正斜率区中形成径向拉伸、轴向收缩的涡卷运动.这为进一步实现多涡卷电路及研究其复杂动力学行为提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓阔	空军工程大学理学院	45	108	6.0	8.0
2	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
3	冯朝文	空军工程大学理学院	36	108	6.0	8.0
4	赵晓辉	空军工程大学理学院	15	60	5.0	7.0
5	张立森	空军工程大学理学院	12	63	5.0	7.0