LED芯片钝化研究进展

• 作者: 张萌 李虹
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: LED 钝化 漏电流 光输出功率 应力
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 本期专题:半导体材料
• 页码范围: 138-141
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3996字
• 语种: 中文

摘要

综述了国内外在LED钝化材料、钝化工艺和钝化处理时LED性能的影响等方面的一些主要研究进展,指出了以蓝宝石为衬底CaN基LED钝化材料存在的问题和研究方向,特别强调以Si为衬底的LED钝化膜的研究趋势.现阶段的钝化材料主要有SiN_x、SiO_2、SiON_x等,常用的钝化方法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射和电子束蒸发等.对LED芯片的钝化处理可以降低LED器件的漏电流和提高其光输出功率,然而,这也会导致LED的P区载流子数量的下降和芯片表面应力的增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李虹	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	1	2	1.0	1.0
2	张萌	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	69	569	12.0	20.0