VLSI金属互连线电迁移噪声检测敏感性的逾渗模拟

• 作者: 张鹏 李宇博 马中发
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 电迁移 LF噪声 逾渗模拟 敏感性
• 年，卷（期）: 2010,（14）
• 页码范围: 186-189
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.14.060

摘要

在电迁移物理机制的基础上结合逾渗理论,建立了一种金属互连线电迁移的逾渗模型.基于该模型,采用蒙特卡罗方法模拟了超大规模集成电路(VLSI)金属互连线电迁移过程中电阻和低频噪声参数的变化规律.结果表明,与传统的电阻测量方法相比,低频噪声表征方法对电迁移损伤更敏感,检测的效率更高.该研究结果为低频噪声表征VLSI金属互连线电迁移损伤的检测方法提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宇博		2	1	1.0	1.0
2	马中发		9	34	3.0	5.0
3	张鹏		61	245	8.0	11.0