电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究

• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学沉积 ZnO纳米棒阵列 ZnO纳米管阵列 机理
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 116-118
• 分类号: TQ153.4
• 字数: 2785字
• 语种: 中文

摘要

采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.