反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响

• 作者: 徐忠锋 李德慧 王建国 王瑜玉 肖国青 赵永涛 赵迪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 低速高电荷态离子 电子发射 反冲原子 阻止能损
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 7803-7807
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75 keV/u≤Ep/Mp≤10.5 keV/u,即3.8×105 m/s≤vp≤1.42×106 m/s) He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发射产额γ近似正比于入射离子动能Ep/Mp.在相同动能下,γ(O)＞γ(Ne)＞γ(He),对于原子序数Zp比较大的O2+和Ne2+离子,Zp大者反而γ小,这与较高入射能量时的结果截然不同.通过计算小同入射能量下入射离子的阻止能损S,发现反冲原子对激发二次电子的作用随入射离子能量的降低显著增大,这正是导致在较低能量范围内二次电子发射产额与较高入射能量时存在差异的主要原因.