基于气液固机理的大批量InN纳米线生长

• 作者: 刘海滨 程国胜 解思深
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: InN纳米线 气液固生长 生长方向
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 2094-2097
• 分类号: TB332
• 字数: 2638字
• 语种: 中文

摘要

采用气液固机理生长了大批量均匀的InN纳米线,扫描电镜图像显示出这些光滑纳米线的平均直径和长度分别为65nm和15μm.高分辨透射电镜、选区电子衍射、微区拉曼散射光谱结合EDS能谱说明了纳米线为六方纤锌矿结构单晶,并证实了纳米线的生长遵循气液固生长机理.纳米线的光致发光光谱在1.89eV附近有一发光峰.改变NH3的流量可以调控纳米线的形貌和生长方向,我们从能量角度对此进行了解释.