数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

• 作者: 杨海燕 赵西安
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 半导体断路开关 脉冲功率源 数值模拟 电流截断特性
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 所属期刊栏目: 新型元器件
• 页码范围: 179-181
• 分类号: TN389
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.12.057

摘要

半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用.采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P+-P-N-N+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究.研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数时SOS电流截断特性的影响.结果表明:P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值战小.该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨海燕	西安陆军学院信息化研究试验室	3	2	1.0	1.0
2	赵西安	西安陆军学院信息化研究试验室	4	17	2.0	4.0