GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

• 作者: 张燕辉 李天信 殷豪 陈平平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 分子束外延 稀氮半导体 X射线衍射 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8026-8030
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和托曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈平平	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	6	8	2.0	2.0
2	张燕辉	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	8	32	3.0	5.0
3	李天信	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	殷豪	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	3	1.0	1.0