点籽晶降温法快速生长大尺寸磷酸二氢钾晶体

• 作者: 叶李旺 庄欣欣 林秀钦 汪剑成 胡国行 苏根博 贺友平 赵元安 郑国宗
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: KDP晶体 透过光谱 损伤阈值 快速生长 降温法
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 2857-2859
• 分类号: O532|O436.1
• 字数: 1203字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102212.2857

摘要

大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件.在传统生长技术基础上,开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究,设计制作大型培养槽及载晶架,采用过热注种方式试验点籽晶生长,培育出尺寸50 cm×50 cm×41 cm的KDP大单晶,其(100)面生长速度稳定为15 mm/d.晶体在300～1 100 nm波段的透过光谱与常规生长的等同,影响晶体生长及光学品质的主要的金属杂质离子Fe3+,Cr3+,Al3+等含量少于10-6,晶体激光损伤基频阈值30 J/cm2,三倍频阈值达到8.6 J/cm2.