C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究

• 作者: 张海波 朱兴华 杨定宇 王治国 祖小涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: C/SiC纳米管异质结 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 7961-7965
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对扶手椅型(4,4)和(6,6)及锯齿型(8,0)和(10,0)C/SiC纳米管异质结的电子结构进行了研究,结果表明两类异质结结构都表现为半导体特性,扶手椅型纳米管异质结形成了Ⅰ型异质结,电子和空穴都限制在碳纳米管部分.锯齿型纳米管异质结中价带顶主要分布在碳纳米管部分及C/SiC界面处,而导带底均匀分布在整个纳米管异质结上.这两种异质结结构在未来纳米器件中具有潜在的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖小涛	电子科技大学物理电子学院	111	627	12.0	17.0
2	王治国	电子科技大学物理电子学院	20	92	6.0	7.0
3	朱兴华	成都信息工程学院光电技术学院	2	14	2.0	2.0
7	杨定宇	成都信息工程学院光电技术学院	39	148	6.0	9.0
8	张海波	成都信息工程学院光电技术学院	5	15	3.0	3.0