CMOS与CCD性能及高清应用比较

• 作者: 傅新宇 张远 石东新
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 电荷耦合器件 图像传感器
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 174-176,179
• 分类号: TN386.5
• 字数: 3076字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2010.12.060

摘要

互补金属氧化物半导体(CMOS)与电荷耦合器件(CCD)是目前主流的图像传感器件.CMOS与CCD图像传感器的研究几乎同时起步,但是CMOS的应用有相当一段时期落后于CCD.近些年,各个级别质量的图像采集领域,都有COMS图像传感器的应用.从CMOS和CCD图像传感器采用的技术手段和性能表现两大方面做了较为全面的比较和分析,给出了较为详细的对比参数表,并介绍了CMOS和CCD传感器在高清摄像方面的高端应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张远	中国传媒大学信息工程学院	27	157	6.0	12.0
2	石东新	中国传媒大学信息工程学院	4	111	2.0	4.0