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摘要:
采用反应蒸发的方法,在玻璃、Coming7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO2:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析,给出了各种元素在膜中的分布情况;测量了薄膜的透过率,结果显示个别样品对紫外线有较高透过率,退火过程对透过率有影响.测量了电阻率与温度的关系,同时解释了样品的阻-温特性.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了讨论,给出了用透过率曲线确定光学带隙的简易方法.讨论了扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系.结果显示,用铜、铟掺杂的氧化锡透明导电膜达到了降低成本的目的,个别样品有较宽的带隙.
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关键词云
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文献信息
篇名 紫外波段高透过率铜铟掺杂SnO2薄膜的研究
来源期刊 物理学报 学科 化学
关键词 金属氧化物薄膜 电阻率 光电特性
年,卷(期) 2010,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8172-8177
页数 分类号 O6
字数 语种 中文
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1 张治国 泉州师范学院功能材料研究所 16 31 2.0 5.0
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物理学报
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