高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

• 作者: 刘红侠 曹磊 李劲 李斌 袁博
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 应变Si 高k栅 短沟道效应 漏致势垒降低
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8131-8136
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明闭值电压随高k介质的介电常数的增加而增大,随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大.研究了该结构的短沟道效应SCE(shott channel effect)和漏致势垒降低DIBL(drain induced barrier lowering)效应,结果表明该结构能够很好地抑制SCE和DIBL效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	李斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	235	9.0	14.0
3	曹磊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	19	3.0	4.0
4	袁博	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	48	4.0	6.0
5	李劲	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	13	2.0	2.0