低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

• 作者: 刘玉荣 廖荣 陈伟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 高k栅介质
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8088-8092
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

以高掺杂Si单晶片作为衬底凡充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10-2cm2/V·s.通过对金属-聚合物-氧化物层-硅半导体(MPOS)结构电容器的电容-电压(C-V)特性测试发现,MPOS电容器的电容呈现出明显的频率依赖性和C-V迟滞现象,对其产生的物理机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟	华南理工大学电子与信息学院	21	241	8.0	15.0
2	刘玉荣	华南理工大学电子与信息学院	31	82	6.0	6.0
3	廖荣	华南理工大学电子与信息学院	11	18	2.0	3.0