SiC衬底上SiCGe薄膜组分、结构的测试与综合分析

• 作者: 李连碧 陈治明
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC SiCGe薄膜 低压化学气相沉积 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2010,（18）
• 页码范围: 100-103
• 分类号: O484.1
• 字数: 2152字
• 语种: 中文

摘要

采用低压化学气相沉积法在6H-SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析,研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征,讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系,为进一步改善薄膜的性能提供了依据.结合XPS和XRD综合分析可知, 薄膜中Ge、C组分高达30.86%和9.06%,确为SiCGe相,并不是SiGe和SiC的简单结合.测试发现,SiCGe多晶薄膜为立方结构,在〈110〉和〈310〉方向上择优生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	李连碧	西安理工大学电子工程系	9	19	3.0	3.0