1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长

• 作者: 周宁 徐光辉 柴广跃 段子刚 黄晓东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6193-6199
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

基于器件模拟仿真,设计了一种1.5 μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化.通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了 Zn2+向量子阱区的扩散.所获得的外延材料在1.51 μm呈现较强的PL峰值,具有卫星峰清晰的XRD谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段子刚		14	22	4.0	4.0
2	徐光辉		3	5	1.0	2.0
3	柴广跃		24	139	5.0	11.0
4	黄晓东		1	0	0.0	0.0
5	周宁		1	0	0.0	0.0