硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究

• 作者: 刘军林 封飞飞 江凤益 王光绪 邱冲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅衬底 N极性 AlN缓冲层 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5706-5709
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了Ⅰ-Ⅴ曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军林	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	10	71	4.0	8.0
3	王光绪	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	5	25	2.0	5.0
6	封飞飞	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	19	1.0	2.0
7	邱冲		2	35	2.0	2.0
8	江凤益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	21	2.0	2.0