3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究

• 作者: 张云 王治强 邵晓红
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 电子结构 掺杂 第一性原理软件
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5652-5660
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ca在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵晓红	北京化工大学理学院	27	94	5.0	9.0
2	王治强	中国科学院光电研究院	19	80	4.0	7.0
3	张云	北京化工大学理学院	5	67	4.0	5.0