基于功率MOS线性高压放大器设计

• 作者: 刘肃 张浩 王立新 陆江
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 功率MOSFET 线性高压 运算放大器 功率驱动
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 10-11,14
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.02.004

摘要

为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0～5 V时,电路可实现0～50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140～+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张浩	中国科学院微电子研究所	109	659	13.0	20.0
2	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
3	刘肃	兰州大学物理科学与技术学院	68	261	9.0	11.0
4	陆江	中国科学院微电子研究所	12	42	4.0	6.0