In在Al(001)表面偏析的模拟

• 作者: 刘建才 刘胜胆 唐建国 张新明 陈明安
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 表面偏析 扩散 Al合金
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5641-5645
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

通过一种空位模型详细的描述了In在Al(001)表面的扩散偏析过程,利用周期性密度泛函理论方法计算了这个偏析过程中每步构型的能量和In原子扩散的能量壁垒,并对可能的偏析机理进行分析.结果表明:In原子从Al(001)表面第二层扩散偏析至表面层时,系统的能量降低了0.64 eV,最大的扩散迁移壁垒为0.34 eV;而从表面更内层向表面第二层扩散时系统能量基本保持不变,扩散需要克服的能量壁垒为0.65 eV,说明In原子在Al(001)表面只能由体内向表面扩散偏析.In在Al(001)的清洁表面具有强烈的偏析趋势,在热力学上是容易进行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新明	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	366	5484	34.0	50.0
2	刘胜胆	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	95	1439	24.0	33.0
3	陈明安	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	75	1052	19.0	30.0
4	唐建国	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	71	512	15.0	20.0
5	刘建才	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0