一种高精度带隙基准电压源设计

• 作者: 刘军儒 牛萍娟 王亦伟 高铁成
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 HSpice
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.02.001

摘要

提出一种采用0.35 μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数.整体电路使用TSMC 0.35 μm CMOS 工艺,采用HSpice进行仿真.仿真结果表明,在-25～+125 ℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-101 dB,电源电压在2.5～4.5 V之间,输出电压Vref的摆动为0.1 mV,功耗为0.815 mW,是一种有效的基准电压实现方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	高铁成	天津工业大学信息与通信工程学院	18	129	7.0	10.0
3	刘军儒	天津工业大学信息与通信工程学院	2	12	2.0	2.0
4	王亦伟	天津工业大学信息与通信工程学院	2	13	2.0	2.0