高硅铁尾矿合成SiC粉体技术研究

• 作者: 仉小猛 何芳 徐利华 杨剑英 郝洪顺
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 高硅铁尾矿 SiC粉体 碳热还原
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.4
• 字数: 4202字
• 语种: 中文

摘要

以高硅铁尾矿为主要原料,利用碳热还原法合成了SiC粉体.分析了合成过程的反应机理,探讨了配碳量和合成温度对合成过程的影响.结果表明,最终产物中β-SiC为主晶相,Fe_xSi_y为次晶相;影响合成SiC粉体最主要的因素是配碳量,其次是反应温度;在保证配碳过量的情况下,保温时间和氩气流量对合成产物的影响不是很明显;产物晶粒存在多种几何形状,其中SiC晶粒多以片状、柱状、球状形式存在,并且晶粒表面比较光滑,晶粒的尺寸分布不均匀.合成SiC的最佳工艺参数为:n(C):n(SiO_2)=5,合成温度1500℃,恒温时间8h,氩气流量0.6L/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐利华	北京科技大学无机非金属材料系	71	397	11.0	15.0
2	仉小猛	北京科技大学无机非金属材料系	15	80	5.0	8.0
3	郝洪顺	北京科技大学无机非金属材料系	16	130	7.0	11.0
4	杨剑英	北京科技大学无机非金属材料系	3	14	2.0	3.0