一种基于金属开口谐振环和杆阵列的左手材料宽带吸收器

• 作者: 樊京 蔡广宇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 左手材料 开口谐振环 吸收器
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6084-6088
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

用数值仿真在微波X波段研究了金属开口谐振环和杆阵列这一最基本的谐振结构.通过合理的参数调节,这种结构在10.91 GHz附近可以表现出高达98%的吸收率,并且半高峰宽达到3.5 GHz.用散射参量提取法计算其有效电磁参数,发现在谐振频率附近其介电常数、磁导率和折射率的实部均为负值.相比于传统的左手材料,这种结构的电磁参数在谐振区域均具有较大的虚部,是形成高吸收率的根本原因.本文的左手材料吸收器在电磁加热、电磁隐身等领域具有许多潜在的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡广宇	南阳理工学院机电工程系	25	81	5.0	8.0
2	樊京	南阳理工学院电子与电气工程系	22	126	7.0	11.0