LTE上行干扰分析

• 作者: 李中年 魏国兴
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: LTE 上行干扰 对数正态分布
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 47-50
• 分类号: TN929.3
• 字数: 3144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2010.12.017

摘要

通过对第三代移动通信系统的长期演进系统(LTE)的干扰进行简要分析,认为LTE系统的上行干扰相对于下行干扰更加复杂,随机.通过理论推导、分析和仿真证实,认为LTE系统的单载波上行干扰大致符合对数正态分布,并且来自相邻小区的干扰占主导因数;与此同时,多载波上的干扰随着频率呈阶梯型起伏,不利于采用自适应调制编码技术,需要采取必要的措施来克服.该结论有利于估算LTE系统容量和调度中的干扰预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李中年	华中师范大学物理学院电子与信息工程系	4	29	3.0	4.0
2	魏国兴		1	14	1.0	1.0