铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

• 作者: 付刚 梁毅 王凤翔 秦希峰 赵优美
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 6H-SiC 卢瑟福背散射技术 横向离散
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6390-6393
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2.的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM 2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凤翔	山东建筑大学理学院	16	48	4.0	5.0
2	秦希峰	山东建筑大学理学院	11	16	2.0	2.0
3	付刚	山东建筑大学理学院	12	40	3.0	5.0
4	赵优美	山东建筑大学理学院	5	11	2.0	2.0
5	梁毅	山东建筑大学理学院	4	6	2.0	2.0