强流脉冲电子束辐照诱发金属纯镍中的空位簇缺陷

• 作者: 关庆丰 王志平 荆洪阳 邹慧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强流脉冲电子束 多晶纯Ni 空位簇缺陷 堆垛层错四面体
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6384-6389
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用强流脉冲电子束(high-current pulsed electron beam,HCPEB)技术对多晶纯Ni进行了辐照处理,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的缺陷结构.HCPEB辐照后,纯镍表层积聚了幅值极大的残余应力,沿{111}晶面形成了稠密的位错墙及孪晶结构,另外还形成了大量的包括位错圈、堆垛层错四面体(SFT)及孔洞在内的空位簇缺陷.SFT缺陷的数量远高于其他空位簇缺陷,其周围区域位错密度很低.孔洞缺陷主要出现在SFT密集区域.HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变速率导致的整个原子平面的位移可能是大量空位簇缺陷形成的原因所在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	荆洪阳	天津大学材料科学与工程学院	132	919	14.0	21.0
2	邹慧	天津大学材料科学与工程学院	22	121	6.0	10.0
4	王志平	中国民航大学理学院	114	639	14.0	17.0
5	关庆丰	江苏大学材料科学与工程学院	60	362	11.0	15.0