有边界条件的忆阻元件模型及其性质

• 作者: 俎云霄 周玉泽 张旭 杨兴华 闭强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 忆阻元件 边界条件 数学模型 性质
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6673-6680
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

对第四类基本电路元件--忆阻元件的基本特性进行了研究,分别建立了无边界条件和有边界条件的忆阻元件的积分形式的数学模型.对有边界条件的数学模型进行了仿真,分析了有边界条件下电源频率和掺杂比、初始掺杂宽度等模型参数对电流、电压电流关系、磁链电荷关系等元件特性的影响,得出了相关的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俎云霄	北京邮电大学电子工程学院	37	294	10.0	15.0
2	张旭	北京邮电大学电子工程学院	7	69	4.0	7.0
3	周玉泽	北京邮电大学电子工程学院	1	22	1.0	1.0
4	闭强	北京邮电大学电子工程学院	1	22	1.0	1.0
5	杨兴华	北京邮电大学电子工程学院	1	22	1.0	1.0