不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究

• 作者: 李卓昕 王丹妮 王宝义 秦秀波 薛德胜 魏龙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子偶素 正电子湮没谱学方法 多孔硅
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6647-6652
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40 ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
2	魏龙	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	50	325	10.0	16.0
3	薛德胜	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	44	215	9.0	12.0
4	李卓昕	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	9	44	3.0	6.0
6	王丹妮	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	9	30	2.0	5.0