SiGe HBT高频噪声等效模型研究

• 作者: 王军 钮维
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 高频噪声 等效模型
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 180-183
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 2085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2010.12.062

摘要

对硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)等效高频噪声模型进行了研究,在建模过程中,SiGe HBT的等效电路为小信号准静态等效电路,使用二端口网络噪声相关矩阵技术从实测噪声参数提取基极和发射极的散粒噪声,提取结果与几种散粒噪声模型进行对比分析,重点研究半经验模型建立过程,对半经验模型与常用的噪声模型使用CAD仿真验证,结果表明了半经验模型的有效性、更具准确性,该半经验模型能够用到不同工艺SiGe HBT的高频噪声模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钮维	西南科技大学信息工程学院	2	3	1.0	1.0
2	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0