一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

• 作者: 丁召 张正平 杨发顺 牛宗超 王基石 马奎
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 带隙基准源 温度系数 动态反馈补偿 CMOS
• 年，卷（期）: 2010,（14）
• 页码范围: 7-9,13
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.14.003

摘要

提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5～10 V.利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路.使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB.该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张正平	贵州大学理学院	95	328	9.0	14.0
2	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
3	杨发顺	贵州大学理学院	54	125	5.0	8.0
4	马奎	贵州大学理学院	35	52	4.0	5.0
5	牛宗超	贵州大学理学院	4	6	1.0	2.0
6	王基石	贵州大学理学院	5	17	3.0	4.0