应变Si电子电导有效质量模型

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 赵丽霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变Si K·P法 电导有效质量
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6545-6548
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用K·P微扰法建立了应变Si导带能谷由纵、横向有效质量表征的E-k关系,并在此基础上,研究分析了(001),(101),(111)晶面应变Si电子的电导有效质量与应力、能谷分裂能及晶向的关系.结果表明,弛豫Si1-xGex材料(001)面生长的应变Si沿[100],[010]晶向的电子电导有效质量和弛豫Si1-xGex材料(101)面生长的应变Si沿[010]晶向的电子电导有效质量随Ge组分(应力)的增加而减小,并逐渐趋于常数.以上结论可为应变Si nMOS器件性能增强的研究及导电沟道晶向与应力设计提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	22	172	8.0	12.0
5	赵丽霞	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	34	3.0	5.0