磁场作用下缺陷微磁生成机理研究

• 作者: 刘美全 徐章遂 李建增 陈鹏
• 来源期刊: 计算机测量与控制
• 关键词: 磁化 缺陷 磁畴 微磁检测
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 设计与应用
• 页码范围: 437-439
• 页数: 3页
• 分类号: TP391
• 语种: 中文

摘要

从外磁场作用下铁磁材料内部磁畴结构变化尤其是材料存在缺陷时缺陷两侧磁畴以及磁畴壁的变化分析以及畴壁能量计算出发,得出当材料中存在缺陷时,由于缺陷对畴壁形成钉扎,使得缺陷两侧形成反向势垒,阻碍了畴壁运动,在缺陷边缘附近形成微磁固定结点,微磁结点内磁化方向的变化决定了缺陷区的泄漏微磁场特性,由于微磁固定结点内磁化强度的法向分量不连续,缺陷区形成泄漏微磁场,泄漏微磁场的奇异特征包含了缺陷信息,通过检测这个泄漏场信息,可以实现微磁缺陷检测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐章遂	军械工程学院电气工程系	80	630	15.0	20.0
2	陈鹏	军械工程学院电气工程系	62	344	10.0	14.0
3	刘美全	军械工程学院电气工程系	46	357	12.0	16.0
4	李建增	军械工程学院电气工程系	66	342	9.0	15.0