VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究

• 作者: 刘兴钊 邓新武 陈一峰
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 同质外延 气-液-固生长机理
• 年，卷（期）: 2010,（14）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TQ12
• 字数: 1737字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力.以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜.结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶.为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓新武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	17	97	5.0	9.0
2	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
3	陈一峰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	3	1.0	1.0