一种适用于LDO的三级误差放大器的设计

• 作者: 刘桥 吴宗桂 李盛林
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: LDO 低压三级运放 单密勒电容 共模抑制比 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.02.006

摘要

为了促进LDO在低电源电压环境中的应用,提高其稳定性,在此采用SMIC 0.35 μm,N阱CMOS工艺,设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器.仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽(2.5～6.5 V),静态电流小,开环电压增益为112.16 dB,相位裕度为89.03°,增益带宽积为6.04 MHz,共模抑制比为89.3 dB,电源抑制比为104.8 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘桥	贵州大学理学院	111	627	14.0	20.0
2	吴宗桂	贵州大学理学院	4	20	3.0	4.0
3	李盛林	贵州大学理学院	1	6	1.0	1.0