晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响

• 作者: 李国荣 李玉科 祝铭 程丽红 郑嘹赢
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏 晶界 电性能
• 年，卷（期）: 2010,（22）
• 页码范围: 65-67
• 分类号: TB332
• 字数: 2180字
• 语种: 中文

摘要

研究了传统烧结与热压烧结对ZnO压敏陶瓷显微结构和电性能的影响.采用扫描电镜观察(SEM)、电流-电压测试(I-V)、电容-偏压测试(C-V)以及阻抗谱等分析方法或测试手段研究了陶瓷的显微结构、电性能.结果表明,热压烧结增大了ZnO压敏陶瓷的烧结密度,提高了电性能.晶界特性参数测试结果表明,热压烧结还可以增强晶界特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国荣	中国科学院上海硅酸盐研究所	49	676	14.0	24.0
2	郑嘹赢	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	109	6.0	10.0
3	程丽红	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	5	2.0	2.0
4	李玉科	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	3	1.0	1.0