SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

• 作者: 杜文汉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SrO/Si表面 Sr/Si表面 扫描隧道显微镜 去氧过程
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 3357-3361
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术,深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中,样品在500℃的退火温度下,表面出现SrO晶化的现象;在550-590 ℃的退火温度下,SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化,界面和表面上的氧以气态的SiO溢出,使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性,这是由于表层硅原子发生断键重排,从而在表面出现悬挂键产生的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜文汉	中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室	3	0	0.0	0.0