室温下磁场对基于Alq3的有SYL电致发光器件的影响

• 作者: 丁桂英 丛林 姜文龙 孟凡超 孟昭晖 张刚 汪津 王立忠 韩强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 有机发光 磁场 效率 磁致亮度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 3571-3576
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

制备了ITO/NPB/LiF/Alq3/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50 mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加了12.4%,磁致亮度最大变化率17%.同时,制备的磷光器件ITO/NPB/LiF/CBP:6 wt%Ir(PPY)3/BCP/Alq3/LiF/Al,在50mT磁场作用下,当LiF缓冲层的厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加12.1%.在Alq3的荧光器件中,由于发光材料在磁场的作用下产生了塞曼效应,超精细耦合作用减弱,单重态的极化子对向三重态的极化子对的转移受到了抑制,从而使单重态激子的数量增加,发光增强;与荧光器件类似,在Ir(ppy),的磷光器件中,效率增加的原因是由于荧光主体材料CBP在磁场的作用下单重态激子数量增加,而间接的导致了磷光材料系间窜越现象的加剧所引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜文龙	吉林师范大学信息技术学院	89	282	8.0	11.0
2	丁桂英	吉林师范大学信息技术学院	40	130	6.0	8.0
3	汪津	吉林师范大学信息技术学院	48	137	6.0	8.0
4	王立忠	吉林师范大学信息技术学院	93	260	7.0	10.0
5	韩强	吉林师范大学信息技术学院	53	134	7.0	7.0
6	丛林	吉林师范大学信息技术学院	7	19	3.0	4.0
7	孟昭晖	吉林师范大学信息技术学院	8	26	4.0	4.0
8	孟凡超	吉林师范大学信息技术学院	2	6	1.0	2.0