N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性

• 作者: 侯登录 周鸿娟 张永进 甄聪棉 赵翠莲 马丽
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: N掺杂SiO2薄膜 射频磁控反应溅射 界面磁性 基底温度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 3499-3503
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35 emu/cm3和75 Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甄聪棉	河北省新型薄膜材料实验室河北师范大学物理科学与信息工程学院	5	11	2.0	3.0
2	赵翠莲	河北省新型薄膜材料实验室河北师范大学物理科学与信息工程学院	2	3	1.0	1.0
3	马丽	河北省新型薄膜材料实验室河北师范大学物理科学与信息工程学院	3	4	1.0	1.0
4	周鸿娟	河北省新型薄膜材料实验室河北师范大学物理科学与信息工程学院	1	2	1.0	1.0
5	张永进	河北省新型薄膜材料实验室河北师范大学物理科学与信息工程学院	1	2	1.0	1.0