倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散

• 作者: 何小琦 庄志强 恩云飞 王歆 陆裕东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 倒装芯片 凸点 电迁移 扩散
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 3438-3444
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作用下,Ni(V)镀层中的Ni原子的快速扩散导致原本较为稳定的Ni(V)扩散阻挡层发生快速的界面反应,造成Al互连金属与焊料的直接接触.Al原子在电子风力作用下沿电子流方向向下迁移造成窗口附近焊料中Al原子含量逐步上升,同时,空位的反向迁移、聚集形成过饱和,导致Al互连中形成大面积空洞.焊料中的Sn,Pb原子在化学势梯度和压应力作用下形成向上的原子通量,原子扩散方向与浓度梯度方向一致,使Al互连中形成空洞的同时,出现凸点焊料对Al互连的侵蚀现象.整个电迁移过程中,Al原子和Sn,Pb原子在各自的主导作用力的驱动下,发生着持续的互扩散,直至互连结构最终因质量通量的差异而发生开路失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王歆	华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室	39	321	8.0	16.0
2	恩云飞	工业和信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室	22	60	4.0	6.0
3	陆裕东	华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室	22	97	6.0	8.0
7	何小琦	工业和信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室	8	13	3.0	3.0