应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x本征载流子浓度模型

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 应变Si 有效态密度 本征载流子浓度
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2064-2067
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

利用应变Si CMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x材料能带结构出发,详细推导建立了300K时与Ge组分(x)相关的本征载流子浓度模型.该数据量化模型可为Si基应变器件物理的理解及器件的研究设计提供有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	22	172	8.0	12.0