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基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
作者:
丁士进
孙清清
廖忠伟
张卫
苟鸿雁
黄玥
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Pt纳米晶
快速热退火
原子层淀积
存储效应
摘要:
采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)cm~(-2)的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3-+8 V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2.01 V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9 V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.
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文献信息
篇名
基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
来源期刊
物理学报
学科
化学
关键词
Pt纳米晶
快速热退火
原子层淀积
存储效应
年,卷(期)
2010,(3)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
2057-2063
页数
7页
分类号
O6
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄玥
专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院
2
0
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0.0
2
苟鸿雁
专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院
1
0
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3
廖忠伟
专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院
1
0
0.0
0.0
4
孙清清
专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院
1
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5
张卫
专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院
3
13
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2010(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Pt纳米晶
快速热退火
原子层淀积
存储效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
教育部科学技术研究项目
英文译名:
Key Project of Chinese Ministry of Education
官方网址:
http://www.dost.moe.edu.cn
项目类型:
教育部科学技术研究重点项目
学科类型:
期刊文献
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