低压CMOS带隙基准电压源设计

• 作者: 丁召 宁江华 杨发顺 王基石
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS基准电压源 低功耗 Sub-1 V 高电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 115-117
• 分类号: TM13
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.07.035

摘要

基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度.阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源.并基于CSMC 0.5 μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
5	杨发顺	贵州大学理学院	54	125	5.0	8.0
9	王基石	贵州大学理学院	5	17	3.0	4.0
10	宁江华	贵州大学理学院	4	13	3.0	3.0