Si含量对高锰硅化合物相组成及热电性能的影响研究

• 作者: 唐新峰 李涵 林泽冰 罗文辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高锰硅 Si含量 相组成 热电性能
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8783-8788
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用高频感应熔融、退火结合放电等离子烧结方法制备高锰硅(HMS)化合物MnSi1.70+x(x=0,0.05,0.1,0.15),系统研究了Si含量变化对材料相组成、微结构和热电性能的影响规律.结果表明,当x<0.1时,样品由HMS和贫Si的MnSi金属相两相组成,随着Si含量x的增加,MnSi相相对含量减小;当x=0.1时,所得样品为单相HMS化合物;当x>0.1时,样品由HMS和过量Si两相组成.随着x的增加,由于样品中高电导的金属相MnSi含量逐渐减少,样品的电导率逐渐下降,而Seebeck系数随之增加.室温下样品载流子浓度和有效质量随x增大逐渐减小,而迁移率逐渐增加.MnSi和Si杂相与HMS相比均为高热导相,因此当x=0.1时,由于样品为单相HMS,从而表现出最低热导率和最高ZT值.MnSi1.80样品在800 K时热导率最小值达到2.25 W·m-1K-1,并在850 K处获得最大Z7值(0.45).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
2	罗文辉	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	16	182	6.0	13.0
3	李涵	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	20	73	5.0	7.0
4	林泽冰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	1	3	1.0	1.0