变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究

• 作者: 唐正霞 方茹 江丰 沈鸿烈 蔡红 鲁林峰 黄海宾
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 多晶硅 铝诱导晶化 变温退火
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8770-8775
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明.当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
2	江丰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	57	5.0	6.0
3	鲁林峰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	14	62	6.0	7.0
4	黄海宾	南京航空航天大学材料科学与技术学院	7	31	3.0	5.0
5	唐正霞	南京航空航天大学材料科学与技术学院	9	44	3.0	6.0
6	蔡红	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	16	3.0	4.0
7	方茹	南京航空航天大学材料科学与技术学院	3	6	2.0	2.0