基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极

• 作者: 张文彦 潘金艳 高云龙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 冷阴极 场致发射 均匀性
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8762-8769
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能.从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384 μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文彦		33	274	8.0	15.0
2	潘金艳	集美大学信息工程学院	14	30	3.0	4.0
3	高云龙	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	3	2	1.0	1.0