纳米硅结构中分裂能级对光电输运特性的影响

• 作者: 刘永生 朱燕艳 蒋震宗 陆加佳 陈静
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电流 光电输运 共振隧穿 纳米点
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8862-8869
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

基于电子在分裂能级系统中同时存在的共振隧穿和子带输运过程,结合光生载流子作用提出了纳米硅结构中的光电输运理论模型.利用该模型计算了纳米硅结构在光照条件下的电流密度、电场强度及电子浓度分布.结果表明,光生电子在具有分裂能级的纳米硅中是以共振隧穿为主要输运方式.在此基础上,详细研究了光电流与吸收系数、外加偏压以及纳米硅层层数之间的关系,发现在特定的外界条件下光电流会出现跳变增加的现象,其物理原因是纳米硅结构中电场强度的二次分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永生	上海电力学院直属数理系	39	210	8.0	12.0
2	陈静	上海电力学院直属数理系	5	24	2.0	4.0
3	蒋震宗	上海交通大学物理系	2	4	1.0	2.0
4	陆加佳	上海交通大学物理系	2	8	1.0	2.0
5	朱燕艳	上海电力学院直属数理系	21	14	2.0	3.0