肖特基势垒对铁磁/有机半导体结构自旋注入性质的影响

• 作者: 任俊峰 修明霞 原晓波 王玉梅 胡贵超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 有机自旋注入 肖特基势垒 电流自旋极化率
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8856-8861
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊载流子及其迁移率、界面附近掺杂浓度的变化关系.通过计算发现,寻找在势垒区中载流子迁移率比较大的有机半导体材料对实现有效的自旋注入是必要的;同时还发现,由于铁磁/有机半导体接触而形成的肖特基势垒不利于自旋注入.因此要想实现有效的自旋注入,界面附近必须采用重掺杂来有效减少势垒区的宽度,且势垒的高度要限制在一定的范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉梅	山东师范大学物理与电子科学学院	5	4	1.0	1.0
2	任俊峰	山东师范大学物理与电子科学学院	12	20	2.0	4.0
3	原晓波	山东师范大学物理与电子科学学院	8	10	2.0	2.0
4	修明霞	山东师范大学物理与电子科学学院	3	1	1.0	1.0
5	胡贵超	山东师范大学物理与电子科学学院	9	10	2.0	2.0