一种GaN宽禁带功率放大器的设计

• 作者: 叶培大 张方迪 张民
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 宽禁带半导体 功率放大器 附加效率 GaN
• 年，卷（期）: 2010,（13）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 45-47,50
• 分类号: TN95
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.13.015

摘要

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料.为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10 W).详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3～2.4 GHz范围内可实现功率超过15 W,附加效率超过67%的输出.实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张民	北京邮电大学电信工程学院信息光子学与光通信教育部重点实验室	50	265	10.0	13.0
2	叶培大	北京邮电大学电信工程学院信息光子学与光通信教育部重点实验室	74	401	11.0	15.0
3	张方迪		1	11	1.0	1.0